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NDC7001C增强型场效应晶体管-技术资料

NDC7001C.png

技术参数

品牌:FAIRCHILD/仙童
型号:NDC7001C
批号:18+
封装:SOT23-6
数量:88860
QQ:3007470335
制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SSOT-6
通道数量:2 Channel
晶体管极性:N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:510 mA
Rds On-漏源导通电阻:1 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:960 mW
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:1.1 mm
长度:2.9 mm
产品:MOSFET Small Signal
系列:NDC7001C
晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度:1.6 mm
商标:ON Semiconductor / Fairchild
下降时间:8 ns, 10 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:8 ns, 10 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:14 ns, 8 ns
典型接通延迟时间:2.8 ns, 3.2 ns
零件号别名:NDC7001C_NL
单位重量:30 mg
这些双N沟道和P沟道增强型场效应晶体管使用Fairchikd专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺被设计为最小化导通电阻,提供坚固可靠的性能和快速切换。该设备特别适用于低电压、低电流、开关和电源应用。


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